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- 用途：接触式曝光指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率准确度高，设备简单；
1.半导体制造；
2.光电电子、平板；
3.射频微波，衍射光学；
4.微机电系统；
5.凹凸或覆晶设备等。 - 主要规格：线宽可达800nm；可以配合使用多种型号的正光阻和负光阻；
- 适用晶片尺寸：样品尺寸不能大于6英寸。
- 产品特点：
1.分辨率准确；
2.更广范围的紫外光波长选择；
3.支持恒定光强或恒定功率模式；
4.广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域。
晶片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸
曝光光源：365nm、380nm、395nm三种波长的LED集成光源
分辨率：3μm
对准精度：0.3μm
曝光方式：接触式曝光
尺寸：170cm x 130cm x 180cm
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