一种用于制造集成电路的装置,可将掩模版图案缩小比例转移到待曝光的基板表面,其在微小的硅片表面上可以形成数百万个微观电路元件,是复杂工艺的重要组成部分。广泛应用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。
晶片尺寸:4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
曝光光源:UV-LED
所用光源波长:365 nm
分辨率:依次开发500 nm、400 nm、300 nm
对焦精度:150 nm
缩放倍率:1:5
曝光方式:步进投影式
特征尺寸均匀性(CDU):±10%

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